理化学研究所 計算科学研究機構

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ポスト「京」の開発

重点課題7 次世代の産業を支える新機能デバイス・高性能材料の創成

私たちの暮らすIT社会の発展は、新機能デバイスや高性能材料の開発に支えられています。より健康で安心・安全な省エネ社会を目指すため、「京」では特に今後重要となるデバイスや材料のもとになる物質について、かつてない1000から1000万クラスの原子数のシミュレーションを行い、機能や性能の向上と電子状態の関係を調べています。ポスト「京」では、さらに複雑な構造や組成も考慮した現実に近いシミュレーションにより、産業化が可能な新しいデバイスや材料の設計を目指します。また、膨大な実験データとシミュレーションを融合させた新しい材料設計手法の開発にもチャレンジします。

※図はクリックすると拡大します

  • サブ課題A 高機能半導体デバイス
  • サブ課題B 光・電子融合デバイス
  • サブ課題C 超伝導・新機能デバイス材料
  • サブ課題D 高性能永久磁石・磁性材料
  • サブ課題E 高信頼性構造材料
  • サブ課題F 次世代機能性化学品
  • サブ課題G 共通基盤シミュレーション手法

代表機関

東京大学 物性研究所(課題責任者:常行 真司 教授)

分担機関

筑波大学、大阪大学、自然科学研究機構分子科学研究所、東京工業大学、産業技術総合研究所、東北大学、横浜国立大学、名古屋工業大学、東京理科大学

課題責任者 常行 真司

課題責任者
常行 真司(つねゆき しんじ)